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第五代BiCS Flash 3D存储芯片可以将接口速度提高

存储公司 Kioxia(原东芝存储)近日发布,将在今年 Q1 送样 112 层 TLC Flash 芯片,这是第五代 BiCS Flash 3D 存储芯片。

第五代处置惩罚技巧可供给 1T 比特(128G 字节)的 TLC 和 1.33T 比特的 4 位 / 单元(四级单元,QLC)器件。

112 层堆叠工艺技巧在 96 层堆叠根基上增添了大年夜约 20%的单元阵列密度。

它还可以将接口速率前进 50%,并供给更高的编程机能和更短的读取延迟。

第五代 BiCS FLASH 将在该公司的横滨工厂和新建的北川工厂临盆。

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